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本书是一本关于新型真空器件的学术专著。电子科技大学出版社“博士论丛”项目之一。 本书研究了电子发射理论和器件工作导通机制,提出了电场缓变增强的设计方法和栅极动态调控源极电子浓度的新型栅控机理,设计了微纳等离子体开关和环形栅纳米空气沟道器件两类器件,研究了两类器件的电学性能,并提出了一种面向晶圆级微纳空气沟道精准制备的斜沉积工艺。主要包含微纳等离子体开关的工作机理与电学性能研究、GaN基微纳等离子体开关及超快大功率窄脉冲源设计、超低亚阈值摆幅纳米空气沟道器件设计和面向晶圆级微纳空气沟道精准制备的斜沉积工艺开发与验证等内容。 本书适用对象为高校真空器件研究方向的教师和学生,也可为电子器件研究和生产领域的工作者参考使用。
| 基本信息 | |
|---|---|
| 出版社 | 电子科技大学出版社 |
| ISBN | 9787577020167 |
| 条码 | 9787577020167 |
| 编者 | 赵海全、李沫 著 |
| 译者 | -- |
| 出版年月 | 2026-03-01 00:00:00.0 |
| 开本 | 16开 |
| 装帧 | 平装 |
| 页数 | 173 |
| 字数 | 160 |
| 版次 | 1 |
| 印次 | |
| 纸张 | 一般胶版纸 |
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